近期，中国有色金属工业协会、中国有色金属学会联合发布了《关于颁发2020年度中国有色金属工业科学技术奖的通知》，国星光电全资子公司国星半导体凭借“Ⅲ族氮化物器件制备与高效散热技术（发明）” 荣获中国有色金属科学技术奖一等奖。

“中国有色金属工业科学技术奖”是有色金属行业唯一的全国性科技奖项，是国家科技奖励体系的重要组成部分。该奖项由中国有色金属工业协会、中国有色金属学会组织评选和审定，通过分组评审、专业组初评、大会复评等过程评选出年度获奖项目，因其专业性、严谨性、公正性得到业内的高度认可，对展示行业最新成果、推动行业科技发展、培养行业创新人才具有重要作用。

本次获奖技术由国星半导体与华南理工大学共同开发。国星半导体充分利用该技术，设计了多种新型异质外延结构，增强了载流子输运性能，提升了器件的内外量子效率，先后研制并产业化了D3535、D4545、D5555等多个倒装芯片系列。其中，运用国星半导体D4545系列芯片生产的器件，经第三方机构检测，光效达到170lm/W@350mA，光电转换效率超过70%。拥有低电压、高光效和良好的电流扩散等特点，目前被广泛运用在车灯、闪光灯等领域。

运用国星半导体倒装大功率芯片的器件

未来，国星光电将继续深入贯彻落实创新驱动发展战略，助力国星半导体加快布局Mini LED、大功率车用级LED、紫外LED等新赛道，探索前瞻性Micro LED和GaN功率器件等第三代半导体领域，为广晟集团奋进世界500强贡献出国星力量！