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2025行家说开年盛会:国星光电领衔MIP技术革新,开启显示新未来

2025-03-06 09:03

随着Micro LED技术逐步突破量产瓶颈,MIP凭借其低成本、高兼容性、强稳定性等优势,成为微小间距LED显示领域的核心变量。


据研究机构与行家说预测,至2028年,中国大陆MLED直显市场中MIP封装技术销售额占比将达35%;2025年MIP封装总产能或达10000kk/月,成本降幅超50%,MIP技术方案迈入规模化应用元年。


3月6日,国星光电应邀出席2025年行家说开年盛会,并发表《MIP引领显示市场新突破》主题演讲,围绕LED显示屏及MLED技术的未来蓝图,分享公司在MIP技术领域的最新研发成果与战略布局。



国星光电是最早布局MIP系列产品的封装企业之一,2024年重点开发了MIP-IMD系列和MIP-CHIP系列两大MIP产品线,产品适用间距涵盖P0.6-P2.6,满足固装、租赁等不同应用领域需求。


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MIP技术革新,驱动显示场景突破


国星光电的MIP器件依托超薄封装工艺与100%分测严选,具备高亮度、高对比度、出光一致性好及可靠性强等性能优势。通过动态像素优化及IMD集成化设计,其应用间距已全面覆盖P0.4-P3微显示场景,成功拓展至虚拟拍摄、高端商业显示等前沿领域,加速推动传统SMD产品迭代,为超高清显示产业化落地提供核心支撑。


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MIP面板化,技术融合重塑行业标准


进入MIP发展上量元年,国星光电积极推进MIP系列产品创新开发,深入解决微小间距的显示挑战,提出了MIP+GOB的突破解决方案,通过两大技术融合实现行业级创新。


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突破一 画质领先

基于全流程严选分测的MIP器件,搭载GOB封装技术协同优化,实现显示对比度更加均匀、颜色一致性更佳。


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突破二 亮度优势

采用全倒装共阴/共阳MIP定制化方案,搭配GOB光效无损封装工艺,亮度输出效率同比大幅提升。


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突破三 外观、显示一致性

GOB技术强化屏体表面平整度,提升整体屏体外观效果;结合MIP全倒装芯片无焊线遮挡设计,减少颗粒感,可视角度提升。


上:MIP+GOB均匀墨色

下:常规LED显示屏相邻模块色差


突破四 二重保护

MIP+GOB复合型防护设计,有效实现防水、防潮、防撞、防尘、防腐蚀、防蓝光、防盐、防静电八大防护,防磕碰性能优秀,可靠性更优。


国星光电启动吉利产业园扩产项目,大规模布局RGB小间距、Mini LED、TOP/CHIP LED等高端显示器件产线,将进一步巩固高清显示领域核心竞争力,加速产品迭代与工艺升级,全面承接新兴显示以及Micro LED显示红海的到来。


国星光电不断探索新兴市场、追求技术创新,持续推动新型显示技术的研发与应用。未来,国星光电将持续赋能微小间距显示领域的发展,充分发挥MIP+GOB的技术优势,实现新一轮显示场景的突破,助力全球显示产业迈向“更清晰”的新纪元。

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