11月27-30日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）暨第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门召开，国星光电应邀出席论坛并斩获“品牌力量”奖项。

■赴约盛会

IFWS&SSLCHINA是中国地区举办的、专业性最强、影响力最大的第三代半导体领域国际性年度盛会，也是规模最大、规格最高的第三代半导体全产业链综合性论坛。

■斩获殊荣

“品牌力量”奖项由IFWS&SSLCHINA组委会颁发，是为发展第三代半导体和半导体照明产业所属领域的优秀企业和优势品牌所创立，获得该奖项是对国星光电在半导体照明产业领域出色表现的高度认可。

近年来

国星光电坚持创新引领发展

以领先技术驱动产品创新

不断夯实品牌在业界的影响力

努力在LED应用新蓝海实现突围

Micro LED是在驱动背板上集成高密度微小尺寸的LED阵列，具有高像素密度、高亮度、更轻薄、低功耗等特点，在超大尺寸安防屏/会议屏、车载显示屏、数字化车灯、可穿戴设备等领域具有广阔的产业化与商业化应用前景。虽然Micro LED性能优势显著，但受制于技术瓶颈，Micro LED产业化道路仍充满挑战。

作为LED封装行业龙头企业，国星光电于2018年率先成立Mini&Micro LED研究中心，2020年成立广东省半导体微显示重点实验室，为攻关技术瓶颈提供有力支撑。目前，公司已在巨量转移、共晶键合、量子点全彩化等多项关键技术上取得突破，并开发出玻璃基被动式驱动透明Micro LED全彩显示模组和主动式驱动Micro LED全彩显示模组、硅基0.39英寸单色Micro LED微显示模组、万级像素Micro LED数字化车灯光源模组、MIP0404直显分立器件等产品及技术解决方案，可应用于4k/8k大尺寸安防屏、智慧屏、车载显示屏、数字化车灯、智能手表及AR/VR可穿戴设备等领域，助推Micro LED产业化加速发展。

▲论坛上，国星光电发表了《Micro LED显示技术及其产业化应用趋势》的专题演讲，分享了公司在Micro LED领域的最新进展。

深入探索 丰富第三代半导体场景应用

以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，因具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等优势，在半导体照明、新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景。据智研咨询预测，2023年国内第三代半导体市场规模将达到152.15亿元，2028年将达到583.17亿元，2023年到2028年复合增长率为30.83%。

2019年，国星光电已开始了组建功率器件实验室及功率器件产线的工作。经过持续的创新开拓，国星光电SiC（碳化硅）及GaN（氮化镓）产品线不断扩展，其中，在SiC应用领域，已形成以TO封装为主的SiC-SBD与SiC-MOS产品，相关产品已获AEC-Q101车规认证，产品可广泛应用于黑白家电、移动储能逆变器、新能源汽车等领域。在GaN应用领域，国星光电具备DFN与TO多种封装形式，并结合应用方案推出了控制+驱动+GaN的集成化封装器件，该器件可降低杂感，大幅简化外围电路。基于第三代半导体，公司还推出了应用于驱动电源市场的整体方案，其中快充墙插、60W/120W橱柜灯驱动电源、100W磁吸灯驱动电源等产品已完成验证并出货。不断丰富的第三代半导体产品布局，为国星光电持续拓展新应用场景提供有力支撑。