技术领域

        本发明关于一种LED 晶粒核心BIN产品整片抽测方式（各电性、光学特性检验），该系统中打破惯性思维的先翻膜后分片的抽测方法，采用先整片抽测晶圆后翻膜分片矩阵抽测的工艺方法。

背景技术

        在LED晶圆完成分类挑拣成为某一电性光学等级的成品后，会先使用点测设备对成品晶粒进行抽测，以便确保各晶粒的电性、光学特性是与分类挑选的要求一致，同时是保证产品出货的品质。

        然而，目前核心BIN产品现有的抽测检验实施方式是：先将核心BIN翻膜分片，再由点测设备对LED成品所有晶粒进行坐标全扫描，最后进行矩阵抽测。现我司核心BIN产品分为三片后抽测，所以一张4寸核心BIN产品要做三次全扫描+矩阵抽测（图1），扫描时间和上下片时间耗时较长。

图1

        而这种做3次全扫描+矩阵抽测的方式，扫描的时间占了机台运行的大部分时间，而真正点测的时间实际很少，造成效率低下。因此，若能够将晶粒扫描次数变少，将上下片时间降到最低，同时亦可节省抽测机台设备，即减少制造成本和人力成本，为最佳解决方案。

发明内容

        本发明的目的即在于提供一种LED成品晶粒抽测的新方式，分选下机后整片抽测晶圆系统赋予各子片抽测信息，能够将抽测扫描时间和上下片时间缩短。     
 

        本发明所提供的一种 LED成品电性参数抽测的运作方法，与变更前工艺方法更具优势：
       

        首先，所述的LED 晶粒核心BIN产品整片抽测方式，是全新的抽测方式，打破先分片翻膜后抽测的惯性思维，改进为在字母环上抽测后分片。

        其次，所述的LED晶粒核心BIN产品整片抽测方式，有效降低抽测扫描时间、上下片时间和同等产能下可节省设备台数的优势，生产效率可大幅度提高；节约机台&人员成本。

        最后，此工艺运作方法，LED 成品的抽测异常追诉准确度大大提高，漏出率极低。

附图说明

        为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

        图2是本发明实施核心BIN产品整片抽测扫描和测试的显示图：

       如图所示，本发明可实现整片扫描，矩阵电性测试，有效降低抽测上下片时间和扫描时间。

图2